深圳市金城微零件有限公司

产品型号:IPW90R1K0C3 CoolMOS 功率晶体管

标记：9R1K0C

封装:TO-247

品牌：Infineon/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900

漏极电流Id(A):5.7

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V

COOL MOS也有叫super junction mosfet的
一种基于电子科技大学陈星弼院士发明，打破传统功率MOSFET理论极限，被国际上盛誉为功率

MOSFET领域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年问世并很快走向市场。CoolMOS由于采用新的

耐压层结构，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗。这里需特别指出的

是，陈院士的CB及异型岛结构，是一种耐压层上的结构创新，不仅可用于垂直功率MOSFET，还可用

于功率IC的关键器件LDMOS以及SBD、SIT等功率半导体器件中，可称为功率半导体器件发展史上的里

程碑式结构，该发明由此也名列2002年信息产业部三项信息技术重大发明之首位。近，笔者在国

家“863”项目的支持下，利用三维超结结构，在国际上首次获得了与低压器件兼容的导通电阻较传

统器件降低5倍的高压LDMOS。

80年代由陈老师提出来，在我们上课的时候不叫coolmos，　叫super　junction　超结，由于其构

造特殊，导通电阻非常低，耐高压，发热量低，因此又叫coolmos。后来卖给了西门子半导体，就是

现在的infineon。

Coolmos的选型     
一般我们选择一颗MOS  大致看以下几个参数 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是这几个参数，只有Qg和

Id是交流参数，其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数，其实是变坏

的。25度的电流是100A，也许125度的时候，电流只有50A，所以选型的时候要以高温下（老化房）

的数据为准。那选好了电压、电流，剩下就是看Coolmos的损耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 较

低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的导通损耗必然较之平面管要低不少。MOS的另外一个损耗，

开关损耗其实往往更加占主导。开关损耗在MOS里直接体现的数值是Trr。这也是Coolmos的

参数。从coolmos的发展来看   C3 C6 CP CFD  CFD2 都是在Trr上下功夫（C6除外，他是C3的Cost

down）。Coolmos在实际应用中，MOS前段的Rg驱动，一般对电阻要求会低很多。这也能降低损耗。

举个例子，20N60C3  MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，开关越高

，EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑，在EMI允许的情况下，尽量降低驱动电阻

。
Coolmos是否需要采用散热措施。
我只能说要看功率，举个例子，150W的LED电源上，你觉得可以不加散热嘛？15W的LED电源上，加散

热装置，那有地方么？Coolmos，在应用端，解决了有的电源方案需要电子器件更小的体积，甚至是

去掉散热片（如Iphone的充电器），而大功率上看重Coolmos的还是他能降低损耗，所以散热片是一

定要加的。

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